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                光刻加工光刻胶的主要技术参数有哪些?

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                光刻加工光刻胶的主要技术参数有哪些?

                发布日期:2018-09-27 作者: 点击:

                光刻加工光刻胶的主要技术参数有哪些?

                1.灵敏度(Sensitivity)


                灵敏度是衡量光刻胶曝光速度的指标。光刻胶的灵敏度越高,所需的曝光剂量越小。单位:毫焦/平方厘米或mJ/cm2。


                2.分辨率(resolution)


                区别硅片表面相邻图形特征的能力。一般用关键尺寸(CD,Critical Dimension)来衡量分辨率。形成的关键尺寸越小,光刻胶的分辨率越好。


                光刻胶的分辨率是一个综合指标,影响该指标的因素通常有如下3个方面:


                (1) 曝光系统的分辨率。

                (2) 光刻胶的对比度、胶厚、相对分子质量等。一般薄胶容易得到高分辨率图形。

                (3) 前烘、曝光、显影、后烘等工艺都会影响光刻胶的分辨率。


                3.对比度(Contrast)


                对比度指光刻胶从曝光区到非曝光区过渡的陡度。 对比度越好,越容易形成侧壁陡直的图形和较高的宽高比。


                4.粘滞性/黏度 (Viscosity)


                衡量光刻胶流动特性的参数。黏度通常可以使用光刻胶中聚合物的固体含量来控制。同一种光刻胶根据浓度不同可以有不同的黏度,而不同的黏度决定了该胶的不同的涂胶厚度。


                5.抗蚀性(Anti-etching)


                光刻胶须保持它的粘附性,在后续的刻蚀工序中保护衬底表面。耐热稳定性、抗刻蚀能力和抗离子轰击能力。


                6.工艺宽容度(Process latitude)


                光刻加工光刻胶的的前后烘温度、曝光工艺、显影液浓度、显影时间等都会对光刻胶图形产生影响。每一套工艺都有相应的好的工艺条件,当实际工艺条件偏离佳值时要求光刻胶的性能变化尽量小,即有较大的工艺宽容度。 这样的光刻胶对工艺条件的控制就有宽容性。

                光刻加工

                本文网址:/news/384.html

                关键词:光刻胶,光刻胶的分辨率,光刻胶流动特性

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