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                光刻胶的生产步骤有哪些?

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                光刻胶的生产步骤有哪些?

                发布日期:2016-07-27 作者: 点击:

                光刻胶的生产步骤有哪些

                1、准备基质:在涂布光阻剂之前,硅片一般要进行处理,需要经过脱水烘培蒸发掉硅片表面的水分,并涂上用来增加光刻胶与硅片表面附着能力的化合物(目前应用的比较多的是六甲基乙硅氮烷(hexa-methyl-disilazane,简称HMDS)以及基甲硅烷基二乙胺(tri-methyl-silyl-diethyl-amime,简称TMSDEA))。

                  2、涂布光阻剂(photo resist):将硅片放在一个平整的金属托盘上,托盘内有小孔与真空管相连,硅片就被吸在托盘上,这样硅片就可以与托盘一起旋转。涂胶工艺一般分为三个步骤:1.将光刻胶溶液喷洒倒硅片表面;2.加速旋转托盘(硅片),直到达到所需的旋转速度;3.达到所需的旋转速度之后,保持时间的旋转。由于硅片表面的光刻胶是借旋转时的离心力作用向着硅片外围移动,故涂胶也可称做甩胶。经过甩胶之后,留在硅片表面的光刻胶不足原有的1%。

                  3、软烘干:也称前烘。在液态的光刻胶中,溶剂成分占65%-85%,甩胶之后虽然液态的光刻胶已经成为固态的薄膜,但仍有10%-30%的溶剂,容易玷污灰尘。通过在较高温度下进行烘培,可以使溶剂从光刻胶中挥发出来(前烘后溶剂含量降至5%左右),从而降低了灰尘的玷污。同时还可以减轻因高速旋转形成的薄膜应力,从而提高光刻胶的附着性。在前烘过程中,由于溶剂挥发,光刻胶厚度也会减薄,一般减薄的幅度为10%-20%左右。

                  4、曝光:曝光过程中,光刻胶中的感光剂发生光化学反应,从而使正胶的感光区、负胶的非感光区能够溶解于显影液中。正性光刻胶中的感光剂DQ发生光化学反应,变为乙烯酮,进一步水解为茚并羧酸(Indene-Carboxylic-Acid,简称ICA),羧酸对碱性溶剂的溶解度比未感光的感光剂高出约100倍,同时还会帮助酚醛树脂的溶解。于是利用感光与未感光的光刻胶对碱性溶剂的不同溶解度,就可以进行掩膜图形的转移。

                  5、显影(development) :经显影,正胶的感光区、负胶的非感光区溶解于显影液中,曝光后在光刻胶层中的潜在图形,显影后便显现出来,在光刻胶上形成三位图形。为了提高分辨率,几乎每一种光刻胶都有专门的显影液,以保证高质量的显影效果。

                  6、硬烘干:也称坚膜。显影后,硅片还要经过一个高温处理过程,主要作用是除去光刻胶中剩余的溶剂,增强光刻胶对硅片表面的附着力,同时提高光刻胶在刻蚀和离子注入过程中的抗蚀性和保护能力。在此温度下,光刻胶将软化,形成类似玻璃体在高温下的熔融状态。这会使光刻胶表面在表面张力作用下圆滑化,并使光刻胶层中的缺陷(如针孔)因此减少,借此修正光刻胶图形的边缘轮廓。

                  7、刻(腐)蚀或离子注入

                  8、去胶:刻蚀或离子注入之后,已经不再需要光刻胶作保护层,可以将其除去,称为去胶,分为湿法去胶和干法去胶,其中湿法去胶又分有机溶剂去胶和无机溶剂去胶。有机溶剂去胶,主要是使光刻胶溶于有机溶剂而除去;无机溶剂去胶则是利用光刻胶本身也是有机物的特点,通过一些无机溶剂,将光刻胶中的碳元素氧化为二氧化碳而将其除去;干法去胶,则是用等离子体将光刻胶剥除。

                光刻胶的生产步骤

                本文网址:/news/372.html

                关键词:光刻胶,光刻胶的生产步骤,光刻

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